Número de Producto del Fabricante:
BSS123W RFG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
BSS123W RFG-DG
Descripción:
100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 160mA (Ta) 298mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Inventario:
4313 Pcs Nuevos Originales En Stock
12949992
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ENVIAR
BSS123W RFG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
160mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5Ohm @ 160mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
30 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
298mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-323
Paquete / Caja
SC-70, SOT-323
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSS123W
1801-BSS123WRFGTR
1801-BSS123WTR-DG
1801-BSS123WRFGDKR
1801-BSS123WRFGCT
1801-BSS123WCT-DG
1801-BSS123WTR
1801-BSS123WDKR
1801-BSS123WDKR-DG
1801-BSS123WCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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